Fraunhofer IISB (Institute for Integrated Systems and Device Technology) tí ó wà ní Erlangen àti ilé iṣẹ́ ẹ̀rọ oníná mànàmáná àti ẹ̀rọ ìgbàlódé PVA TePla AG tí ó ń ṣe ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́ plasma ìgbàlódé àti ìgbóhùnsáfẹ́fẹ́ ní Wettenberg ń kó ìmọ̀ wọn jọ sínú Joint Lab fún ṣíṣe àwọn kirisita aluminiomu nitride (AlN).
Gẹ́gẹ́ bí orílẹ̀-èdè Europe àkọ́kọ́, àjọṣepọ̀ yìí mú kí iṣẹ́ àwọn ohun èlò AlN monocrystalline tí ó ní ìwọ̀n ìlà-oòrùn 2-inches fún iṣẹ́ ìwádìí àti ìdàgbàsókè wọn lágbára láti ṣe ní ilé-iṣẹ́. Èyí mú kí wíwà àwọn ohun èlò AlN ní Europe sunwọ̀n síi, èyí tí ó mú kí ìdàgbàsókè àwọn ohun èlò àti ètò AlN yára síi àti ìyípadà wọn sí àwọn ohun èlò ilé-iṣẹ́.
Nitride aluminiomu jẹ́ ọ̀kan lára àwọn ohun èlò tó dájú jùlọ fún ìran tó ń bọ̀ ti ẹ̀rọ itanna tó ń ṣiṣẹ́ gíga. Gẹ́gẹ́ bí semiconductor tó ní agbára púpọ̀ (UWBG), AlN ṣí àwọn àǹfààní tuntun sílẹ̀ nínú photonics, power electronics, high-frequency electronics, àti electronics tó ń ṣiṣẹ́ lábẹ́ àwọn ipò tó le koko. Títí di òní yìí, àìtó àwọn substrates AlN tó dára, tó tóbi àti tó rọrùn láti lò ti ń dí ìdàgbàsókè àwọn ẹ̀rọ itanna tó dá lórí AlN lọ́wọ́.
“Pẹ̀lú Joint Lab, a ń fi ìpìlẹ̀ lélẹ̀ láti rí i dájú pé a ní àwọn ohun èlò AlN tó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé láti Yúróòpù, nípa bẹ́ẹ̀ a ń ṣí àwọn àǹfààní tuntun sílẹ̀ fún ìran tuntun ti àwọn ẹ̀rọ AlN tó ń ṣiṣẹ́ gíga,” ni Dókítà Sven Besendörfer, olórí ẹgbẹ́ fún àwọn ohun èlò nitride àti olùdarí ìdàgbàsókè ohun èlò AlN ní Fraunhofer IISB sọ. “Pẹ̀lú PVA TePla, a ń ṣe àfikún ìmọ̀ wa nínú ìdàgbàsókè kirisita ilé-iṣẹ́, nípa bẹ́ẹ̀ a ń ṣẹ̀dá àwọn ohun tí a nílò fún ìyípadà sí àwọn ohun èlò kọnkéréètì.”
Imọ-ẹrọ ohun elo ti a fihan pade imọ-ẹrọ ilana aladani
Nínú yàrá ìwádìí àpapọ̀, Fraunhofer IISB ń lo ìmọ̀ ẹ̀rọ PVT (fisiksi vapor transport) tirẹ̀ láti ṣe àwọn kirisita AlN bulk 2-inch. Nínú ìlànà yìí, a máa ń fi ìyẹ̀fun AlN sínú ìkòkò ní iwọ̀n otútù tó ga ju 2000°C lọ, a sì máa ń kó o sórí kirisita irugbin. PVA TePla ń pèsè àwọn ètò PVT fún ète yìí, èyí tí a ti ń lò kárí ayé fún àwọn kirisita silicon carbide (SiC) 8-inch-diameter tí a sì ti ṣe àtúnṣe rẹ̀ ní pàtàkì fún ìdàgbàsókè àwọn kirisita AlN 2-inch.
Nítorí ìmọ̀ nípa iṣẹ́ tí Fraunhofer IISB ṣe, ẹgbẹ́ PVA TePla yára ṣe àwọn kirisita AlN tí ó ní agbára tó jọra ní àwọn ilé iṣẹ́ tirẹ̀. Ilé iṣẹ́ Joint Lab dojúkọ iṣẹ́ kékeré tí ó dúró ṣinṣin ti àwọn kirisita AlN 2-inch. A ń mú iṣẹ́ náà pọ̀ sí i díẹ̀díẹ̀ láti mú kí ìdúróṣinṣin iṣẹ́, àtúnṣe, ìdàgbàsókè àti ìṣètò owó pọ̀ sí i ní ọ̀nà tó tọ́.
“Pẹ̀lú aluminiomu nitride, a ń ṣe àgbékalẹ̀ ìran ìmọ̀ ẹ̀rọ tó ń bọ̀ lẹ́yìn SiC,” ni Dókítà Jan Pfeiffer, igbákejì ààrẹ ti R&D ní PVA TePla sọ. “Nípasẹ̀ Joint Lab, a lè so ìmọ̀ ẹ̀rọ wa pọ̀ tààrà pẹ̀lú ìmọ̀ ìlànà Fraunhofer IISB, èyí tó ń jẹ́ kí a lè pèsè àwọn ojútùú tó dá lórí ọjà fún àwọn oníbàárà wa kárí ayé ní ìbẹ̀rẹ̀,” ó fi kún un. “Góńgó wa tí a jọ ń ṣe ni láti ru ìdàgbàsókè ọjà sókè ní ẹ̀ka AlN nípasẹ̀ àwọn ohun èlò tó yẹ àti láti ṣètìlẹ́yìn fún àwọn ilé-iṣẹ́ tó ń wá láti wọ inú pápá yìí gẹ́gẹ́ bí alábáṣiṣẹpọ̀ ìmọ̀ ẹ̀rọ pẹ̀lú ohun èlò tó tọ́ àti ìmọ̀ iṣẹ́ tó báramu.”
Mu agbara ijọba imọ-ẹrọ ti Europe lagbara nipasẹ iwọn ile-iṣẹ
Àwọn kirisita AlN tí a ṣe ní Joint Lab ni a tún ṣe àtúnṣe sí ní Fraunhofer IISB sí àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ AlN tí a ti ṣetán tẹ́lẹ̀, àti nípasẹ̀ ilé-iṣẹ́ ìwádìí àti ìdàgbàsókè ọjà tí ó wà ní Erlangen LZE GmbH, tí a gbé kalẹ̀ ní pàtó sí ìdàgbàsókè ilé-iṣẹ́ àti ìlànà ìpìlẹ̀. “Fún ìjọba semiconductor ti Yúróòpù, ó ṣe pàtàkì pé kí a ṣe àwọn ohun èlò pàtàkì tuntun kí a sì yára gbé wọn sínú àwọn ohun èlò ilé-iṣẹ́ àti kí a ṣẹ̀dá iye tí a lè yípadà,” ni olùdarí àgbà LZE, Dókítà Christian Forster, sọ. “Pẹ̀lú ọjà rẹ̀ fún àwọn ìmọ̀-ẹ̀rọ tuntun, LZE GmbH ń fún àwọn ilé-iṣẹ́ àti àwọn ilé-iṣẹ́ ìwádìí ní àǹfààní àgbáyé àti ṣíṣí sílẹ̀ sí àwọn ohun èlò AlN. Ní ọ̀nà yìí, a ń ran àwọn ilé-iṣẹ́ àti àwọn ilé-iṣẹ́ ìwádìí lọ́wọ́ láti rí i dájú pé àwọn ohun èlò tí ó ní ìlérí fún àwọn ọjà ilé-iṣẹ́ gíga ni a mú wá sí ọjà ní kíákíá.”
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Keje-20-2026