Àwòrán: Onímọ̀ ẹ̀rọ IVWorks kan ṣe àtúnṣe orísun plasma kan fún ìṣiṣẹ́ nínú ètò Hybrid MBE oníwọ̀n ìṣelọ́pọ́, ó ń ṣe àtìlẹ́yìn fún ìdàgbàsókè epitaxial GaN tó ga jùlọ àti ìdàgbàsókè tó ga jùlọ.
Transistor gallium nitride (GaN) giga-electron-mobility (HEMT) ti o ni imọ-ẹrọ reGaN yiyan regrowth ti o ni ẹtọ ti IVWorks Co Ltd ti Daejeon, South Korea ti di transistor GaN akọkọ ni agbaye lati ṣaṣeyọri igbohunsafẹfẹ oscillation ti o pọju (fo pọju) tó ju 700GHz lọ. Èyí ni a fi hàn nípasẹ̀ ẹ̀rọ GaN HEMT 45nm kan tí ẹgbẹ́ ìwádìí ọ̀jọ̀gbọ́n Dae-hyun Kim ṣe ní Ilé-ẹ̀kọ́ Ẹ̀rọ Ìmọ̀-ẹ̀rọ ní Yunifásítì Kyungpook ti Orílẹ̀-èdè, wọ́n sì ṣí i ní ọjọ́ kejìdínlógún oṣù kẹfà níbi ìpàdé IEEE/JSAP ti ọdún 2026 lórí ìmọ̀-ẹ̀rọ àti àyíká VLSI ní Honolulu, Hawaii, USA.
Àwọn olùwádìí náà ṣe transistor GaN pẹ̀lú gígùn ẹnu ọ̀nà 45nm wọ́n sì ṣe àkọọ́lẹ̀ fo pọjuti 742GHz, èyí tí ó fi ìdí ìwọ̀n tuntun múlẹ̀ fún iṣẹ́ RF nínú ìmọ̀ ẹ̀rọ transistor GaN. Ẹ̀rọ náà tún ṣe àṣeyọrí ìwọ̀n ìgbàlódé àròkọ (favg) ti 497GHz, iye tí ó ga jùlọ tí a ròyìn títí di òní fún ìmọ̀ ẹ̀rọ transistor GaN èyíkéyìí. Àwọn àbájáde wọ̀nyí fihàn pé àwọn semiconductors GaN ní ìdíje iṣẹ́ tó tó kódà nínú ètò ìgbóhùnsáfẹ́fẹ́ ultra-high àti pé wọ́n lè ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí pẹpẹ tó ṣeé ṣe fún àwọn ètò itanna sub-terahertz àti terahertz ọjọ́ iwájú, IVWorks sọ.
Bó tilẹ̀ jẹ́ pé àwọn transistors indium phosphide (InP) ti ń ṣàkóso ìpele ìpele sub-terahertz fún ìgbà pípẹ́ nítorí àwọn ànímọ́ ìrìnnà elekitironi wọn tó yàtọ̀, fóltéèjì ìfọ́ wọn tó kéré díẹ̀ dín agbára ìjáde àti agbára ìfúnpọ̀ ètò kù. Ní ìyàtọ̀ sí èyí, GaN ní àpapọ̀ àrà ọ̀tọ̀ ti pápá iná mànàmáná ìfọ́ gíga, agbára gíga, àti agbára ooru tó dára, èyí tó mú kí wọ́n jẹ́ àwọn tó máa ń fẹ́ fún àwọn ohun èlò agbára gíga àti agbára gíga láti ìran tó ń bọ̀. Síbẹ̀síbẹ̀, ṣíṣe àṣeyọrí iṣẹ́ agbára gíga pẹ̀lú GaN ṣì jẹ́ ìpèníjà pàtàkì. Láti borí àwọn ìdíwọ́ wọ̀nyí, ẹgbẹ́ ìwádìí lo ìlànà ẹnu ọ̀nà 45nm tó ti ní ìlọsíwájú àti ètò ẹ̀rọ tó dára láti mú iṣẹ́ agbára gíga pọ̀ sí i.
Ohun tó ń mú kí iṣẹ́ náà ṣeé ṣe ni ìmọ̀ ẹ̀rọ àtúnṣe reGaN ti IVWorks. IVWorks nìkan ló ṣe àgbékalẹ̀ reGaN, ó sì ń tún GaN irú n tó ní ìwọ̀n púpọ̀ ṣe ní àwọn agbègbè orísun àti ìṣàn omi, èyí tó dín agbára ìfarakanra kù gan-an. Gẹ́gẹ́ bí alábáṣiṣẹpọ̀ ìwádìí nínú ìwádìí yìí, IVWorks fi ohun tí wọ́n sọ pé ó jẹ́ ìbáramu iṣẹ́ tó dára jùlọ hàn ní gbogbo wafer 4-inch, ó sì ṣe àṣeyọrí àtúnṣe tó tayọ. Jù bẹ́ẹ̀ lọ, ilé-iṣẹ́ náà dín agbára ìfaradà regrowth ní ìsopọ̀ mọ́ra kù (R)int) sí 0.027Ω-mm, ó súnmọ́ ààlà ìmọ̀-ẹ̀rọ tí a lè ṣe ní ìfọkànsí olùgbé tí ó báramu.
“Ìwádìí yìí gbé ààlà iṣẹ́ RF ti GaN HEMTs sí ìpele tuntun, ó sì fi agbára àwọn semiconductors GaN hàn fún àwọn ohun èlò ìgbóná-gíga nípasẹ̀ ìfihàn àkọ́kọ́ àgbáyé ti GaN HEMT pẹ̀lú h tí ó ju 700GHz lọ,” ni ọ̀jọ̀gbọ́n Dae-hyun Kim sọ. “Ìwádìí náà ní ìtumọ̀ pàtàkì gẹ́gẹ́ bí àpẹẹrẹ àṣeyọrí ti ìfọwọ́sowọ́pọ̀ ilé-iṣẹ́-ẹ̀kọ́, tí ó so ìdàgbàsókè epitaxial àti àwọn ìmọ̀-ẹ̀rọ àtúntò láti ilé-iṣẹ́ pọ̀ mọ́ ìmọ̀ yunifásítì nínú ìwádìí ẹ̀rọ àti àyíká,” ó fi kún un.
“Ní kíkọ́ lórí àṣeyọrí yìí, a gbèrò láti túbọ̀ mú kí ìdàgbàsókè àwọn ẹ̀rọ itanna GaN ìran tó ń bọ̀ yára síi tí a ń fojúsùn sí àwọn ohun èlò terahertz-frequency fún ìbánisọ̀rọ̀ 6G àti àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ ààbò tó ti ní ìlọsíwájú.”
IVWorks sọ pe aṣeyọri naa tun ṣe afihan agbara idagbasoke ti imọ-ẹrọ GaN lati faagun kọja RF ibile ati awọn ẹrọ itanna agbara si awọn ohun elo sub-terahertz ati terahertz ti n yọ jade, pẹlu awọn ibaraẹnisọrọ 6G, awọn eto radar ti o ni ilọsiwaju, awọn ibaraẹnisọrọ satẹlaiti, ati awọn ẹrọ itanna aabo iran ti nbọ.
“reGaN jẹ́ ìmọ̀ ẹ̀rọ pàtàkì kan tí ó ti kọjá ìpele ìdánilójú ní ilé iṣẹ́ ìpìlẹ̀ pàtàkì kan, tí a sì ti gbà fún ìṣẹ̀dá iye,” ni Olórí Àgbà ti IVWorks, Young-kyun Noh, sọ. “Àṣeyọrí yìí fihàn pé pẹpẹ reGaN wa tí ó dá lórí Hybrid-MBE kìí ṣe pé ó ti ṣetán fún iṣẹ́-ṣíṣe nìkan, ṣùgbọ́n ó tún jẹ́ ìmọ̀ ẹ̀rọ pàtàkì fún ìran-terahertz àti terahertz GaN electronics,” ó fi kún un. “A ní ìgbéraga láti rí ìmọ̀ ẹ̀rọ IVWorks tí ó ń ṣe àfikún sí àṣeyọrí ìwádìí tí ó gbajúmọ̀ jùlọ ní àgbáyé.”
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Keje-06-2026